Ученые из Московского физико-технического института, Сколтеха и Объединенного института высоких температур РАН теоретически исследовали влияние дефектов в графене на перенос электронов на границе фаз графен/раствор. Расчеты показывают, что создание дефектов способно увеличить скорость переноса заряда на порядок. Причем, варьируя тип дефекта, можно селективно катализировать перенос электрона на определенный...
Свежие комментарии